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电子元器件详细资料 » IC[27039] » SI4922BDY-T1-E3
型号:SI4922BDY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C16 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221.8V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs62nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2070pF @ 15V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
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SI4922BDY-T1-E3相关型号

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